氮化镓（GaN）材料是宽禁带材料的一种，适于制造高频大功率、耐高温、抗辐射半导体微电子器件等，在军民两用领域均有巨大的应用前景。经过自21世纪以来美国等国家的持续推动，GaN器件和工艺技术快速成熟，产品大量上市，并已用于多个在研武器中。GaN器件已在性能、尺寸、可靠性和成本间取得平衡，并开始逐步替代市场上成熟的砷化镓（GaAs）和硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，市场前景极其广阔。
集成电路产业,产业发展,研究报告,中国
冯园园: 冯园园，国家工业信息安全发展研究中心（工业和信息化部电子第一研究所）高级工程师，研究方向为集成电路、半导体、军用电子元器件等。
张洁雪: 张洁雪，国家工业信息安全发展研究中心（工业和信息化部电子第一研究所）工程师，研究方向为人工智能、信息服务等。
