氮化镓（GaN）材料是宽禁带材料的一种，适于制造高频大功率、耐高温、抗辐射半导体微电子器件等，在军民两用领域均有巨大的应用前景。经过自21世纪以来美国等国家的持续推动，GaN器件和工艺技术快速成熟，产品大量上市，并已用于多个在研武器中。GaN器件已在性能、尺寸、可靠性和成本间取得平衡，并开始逐步替代市场上成熟的砷化镓（GaAs）和硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，市场前景极其广阔。 <<